Dummy Die 加工

Dummy Die为无电路功能的裸芯片，专用于辅助芯片制造与封装流程，可以模拟真实芯片的表面结构和材质，以低成本的方式提升良率、稳定工艺。

我司可以提供Dummy Die的代加工服务，可以支持正面金属工艺、背面研磨工艺、背面金属工艺、切割分选等不同工艺的加工方式

现有Dummy Die

正面金属工艺

• 正面铜PAD尺寸3*1mm（Die size：5.6*2.6mm），厚度10um
• 正面铜PAD尺寸1*1mm（Die size：2.2*3mm），厚度10um
• 正面铜PAD尺寸3*4mm（Die size：5.5*6.5mm），厚度10um

背面研磨工艺

• 芯片厚度150um

背面金属工艺

• 背铜10um
• 背银2um

晶圆切割

• 刀切
• 激光切

分选包装

• wafer to wafer转膜
• wafer to tape reel转编带
• wafer to tray转华夫盒

定制Dummy Die

• 正面金属工艺：可依据客户图纸定制正面的图形、RDL层数以及Bump的类型。

• 背面研磨工艺：最低可研磨至50um

• 背面金属工艺：可以选择镀铜（MAX厚度：10um）或镀银（MAX厚度：20um）

• 晶圆切割：可以选择刀切或激光切割

• 分选包装：可以选择wafer to wafer转膜、wafer to tape reel转编带、wafer to tray转华夫盒等不同包装方式