Dummy Die / Wafer 工程样品/工程芯片 定制加工

Dummy Die/wafer为无电路功能的裸芯片/晶圆，可以一比一复制正式芯片的表面图形及金属层和材质，以低成本的方式替代正式芯片，实现工程样品测试，工艺参数摸索，快速提升制程良率、稳定工艺。

常用于芯片制造与封装流程的加工参数验证及工程可靠性测试。

我司可以提供Dummy Die / Wafer的定制及代加工服务，可以支持各种芯片厚度及尺寸正面金属工艺、背面研磨工艺、背面金属工艺、切割分选等不同工艺的全方位定制

定制Dummy Die / Wafer / 玻璃基板

• 正面金属工艺：可依据客户图纸定制正面的图形、RDL层数以及Bump的类型。
  • 晶圆尺寸wafer size：4~12寸
  • 晶圆厚度wafer thickness：≥75um
  • 芯片尺寸：≥0.2*0.2mm

• 背面研磨工艺：最低可研磨至50um

• 背面金属工艺：
  • 金属层类别：Cu/Ag/Ti/Ni
  • 金属层厚度：镀铜（MAX厚度：10um）/镀银（MAX厚度：20um）s

• 晶圆切割：可以选择刀切或激光切割
  • 激光切割精度：±2um
  • 刀片切割精度：±5um

• 分选包装：可以选择wafer to wafer转蓝膜、wafer to tape reel转编带、wafer to tray转华夫盒等不同包装方式

• 玻璃基板工艺：
  • TGV+铜填充：孔径40~80um，深径比≤10：1
  • 表面金属布线：CD≥10±3um
  • 焊盘直径：≥10um
  • 最大基板尺寸：510*510mm
  • 详细内容可定制咨询

现有Dummy Die