晶圆级先进封装FOWLP-主要工艺及设备方案

晶圆级扇出型封装（FOWLP） 是一种在整片晶圆上完成核心封装步骤的先进技术，其核心工艺区别于传统单颗芯片封装。主要流程包括：

1. 晶圆重构：
   • 芯片获取与放置： 将测试合格的已知良好芯片（KGD）从供体晶圆上取下，并精确地放置到带有临时键合胶的载板（Carrier） 上，形成新的布局阵列。
2. 模塑封装：
   • 压缩模塑： 使用环氧树脂模塑料（EMC）覆盖芯片和载板，在高温高压下成型固化，形成一个包含所有芯片的重构晶圆（Reconstituted Wafer）。此步骤提供结构支撑和保护。
3. 载板移除与表面处理：
   • 移除临时载板，对模塑后晶圆表面进行研磨和平坦化处理，暴露出芯片的焊盘。
4. 重新布线层（RDL）构建：
   • 核心“扇出”工艺： 在平坦化的晶圆表面，通过光刻、镀铜、蚀刻等半导体工艺，沉积一层或多层精细的铜布线（RDL）。这些布线层将芯片自身的焊盘扇出（Fan-Out） 到芯片物理边界之外的区域，形成外部连接点。这是实现高密度互连和小型化的关键。
5. 凸点下金属化（UBM）与植球：
   • 在RDL的扇出焊盘上制作UBM层，然后植上锡球，作为最终与电路板连接的电接口。
6. 切割：
   • 将完成所有工艺的整片重构晶圆切割成单个的封装体。

伊乐电子提供的设备方案